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FEI Nova Nano SEM 場發射掃描電子顯微鏡

FEI Nova Nano SEM 場發射掃描電子顯微鏡

簡要描述:

FEI Nova Nano SEM 場(chang)發(fa)射(she)掃描電(dian)子(zi)顯微鏡(jing)該產(chan)品(pin)是世界(jie)上*款(kuan)可(ke)以(yi)對(dui)有機材(cai)料(liao)、基板、多(duo)孔材(cai)料(liao)、塑(su)料(liao)以(yi)及高聚物材(cai)料(liao)等(deng)有電(dian)荷(he)積累的(de)樣(yang)品(pin)和/或(huo)污染性樣(yang)品(pin)進(jin)行(xing)超(chao)高分辨表征的(de)低真空場(chang)發(fa)射(she)掃描電(dian)子(zi)顯微鏡(jing)(FEG-SEM)。作(zuo)為FEI公司市場(chang)的(de)眾多(duo)設備(bei)中(zhong)的(de)一(yi)員(yuan),Nova NanoSEM為用(yong)戶在納米研究(jiu)、開(kai)發(fa)與生(sheng)產(chan)的(de)相關工作(zuo)提供了更(geng)多(duo)的(de)可(ke)能。

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FEI Nova Nano SEM 場發射掃描電子顯微鏡該產品是世界上*款可以對有機材料、基板、多孔材料、塑料以及高聚物材料等有電荷積累的樣品和/或污染性樣品進行超高分辨表征的低真空場發射掃描電子顯微鏡(FEG-SEM)。作為FEI公司市場的眾多設備中的一員,Nova NanoSEM為用戶在納米研究、開發與生產的相關工作提供了更多的可能。 
FEI Nova Nano SEM 場發射掃描電子顯微鏡的出現為那些非導電的以及有污染的納米材料研究和開發者們帶來了新的表征手段。與NanoSEM同時發布的FEI Helix探測技術將浸入式透鏡和低真空掃描電鏡兩種技術成功地組合在一起,這在場發射掃描電鏡的歷*還是*次。在給用戶帶來超高分辨率的同時,還能在低真空環境下有效地抑制非導電材料的電荷積累效應。Nova NanoSEM的這種新技術還可以有效地抑制由前道樣品處理過程所引起的電子束誘導污染。 
除了低真空條件下二次電子和背散射電子成像以外,Nova NanoSEM還具有浸入式透鏡的技術和FEI所*的使用電子束進行納米結構沉積的氣體化學技術,所有的這些特點使之成為納米結構與納米材料是研究領域中zui*、的掃描電鏡
技術參數
1. 分辨率 
高真空模式 1.0nm @ 15kV 
1.8nm @ 1kV 
0.8nm @ 30kV(STEM探測器) 
低真空模式 1.5nm @ 10kV(Helix探測器) 
1.8nm @ 3kV(Helix探測器) 
2. 加速電壓 200V - 30kV,連續可調 
3. 電子束流范圍 0.3pA - 100nA, 連續可調 
4. 樣品臺移動范圍 
Nova NanoSEM 230: X=Y=50mm 
Nova NanoSEM 430: X=Y=100mm 
Nova NanoSEM 630: X=Y=150mm
主要特點
1. 超高分辨率Schottky場發射電子槍 
2. wei一的超高分辨率低真空場發射掃描電鏡. 具有高真空和低真空(<200Pa)兩種真空模式. 
3. 對容易污染、容易電荷積累的納米材料和納米器件進行觀察和分析 
4. *無油真空系統 
5. 可選配電子束曝光、電子束誘導沉積等納米設計/加工功能 
6. FEI公司基于Windows XP的-xT用戶界面

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