FEI Vion Plasma 聚焦離子束系統(FIB)能使您的實驗室實力大增，因為只需這一臺使用簡便的設備便可獲得yi流的光刻和成像性能。采用等離子源技術的 Vion PFIB 擁有比傳統鎵 FIB 儀器更高的吞吐量，具體來說，位置特異性切片分析、大面積光刻和樣本制備的速度提高了 20 倍以上。Vion PFIB 在低離子束電流下也能實現*的光刻精確度和高分辨率成像，能夠快速、準確地生成高對比度圖像，這對眾多工藝控制、失效分析或材料研究應用至關重要。
FEI Vion Plasma 聚焦離子束系統(FIB)的材料科學應用
Vion PFIB 特別適合用于金屬、復合物和涂層，并支持眾多材料表征、失效分析和樣本制備應用。
快速制作位置特異性切片，同時直接對樣本成像以實現實時監控目的
提高銑削速度，無需為大面積及重復性銑削項目以及鋼等低濺射速率材料而犧牲質量
開展動態壓縮或拉伸測試時，迅速對結構和表面執行位置特異性顯微加工。
開展電子背散射衍射分析時，制備高質量的位置特異性表面；制備適用于 SEM 和 TEM 等其他成像和表征技術的標本
獲得亞 30 nm 圖像分辨率，以便快速識別與測量薄層及結構
Vion PFIB 的電子工業應用
高吞吐量三維封裝分析
Vion 等離子 FIB 是一款能夠進行高精度高速切削和銑削的儀器。它能夠有選擇地對興趣區域進行銑削。此外，這款 PFIB 還能有選擇地沉積構成圖案的導體和絕緣體。
通過將高速光刻與精準控制相結合，系統可以多種方式用于 IC 生產，例如：
隆起物、絲焊、TSV 和晶片堆疊失效分析
精確移除封裝和材料，以便開展失效分析以及隔離掩埋的芯片上的故障
在封裝級別開展工藝監控和開發
對封裝的零件和 MEMS 器件開展缺陷分析