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PHI 5000 Versaprobe II X射線光電子能譜儀

PHI 5000 Versaprobe II X射線光電子能譜儀

簡要描述:

PHI 5000 Versaprobe II X射(she)(she)線光電(dian)子(zi)能譜儀是材料(liao)科(ke)學和(he)發展(zhan)的(de)領域(yu)中Z廣泛使(shi)用(yong)的(de)表(biao)面(mian)分析技術。其原(yuan)理是利用(yong)X射(she)(she)線束(一般會使(shi)鋁陽(yang)極或鎂陽(yang)極)作為入射(she)(she)源(yuan),照射(she)(she)在樣(yang)品表(biao)面(mian)導致讓光電(dian)子(zi)從原(yuan)子(zi)的(de)核心(xin)層(ceng)被激發出(chu)。根據(ju)測得的(de)光電(dian)子(zi)所發出(chu)的(de)電(dian)子(zi)動(dong)能,再依照能量守(shou)恒定律就可(ke)以知道電(dian)子(zi)的(de)結合能,從而也就可(ke)知道樣(yang)品表(biao)面(mian)是何物質。

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PHI 5000 Versaprobe II X射線光電子能譜儀是材料科學和發展的領域中zui廣泛使用的表面分析技術。其原理是利用X射線束(一般會使鋁陽極或鎂陽極)作為入射源,照射在樣品表面導致讓光電子從原子的核心層被激發出。根據測得的光電子所發出的電子動能,再依照能量守恒定律就可以知道電子的結合能,從而也就可知道樣品表面是何物質。
PHI 5000 Versaprobe II X射線光電子能譜儀能提供高性能的微區光譜,化學成像,二次電子成像,其zui小的X射線束光柵掃描直徑約為10微米。X射線束的大小可以輕易的使用電腦控制在直徑10微米到400微米設定,從而達到的空間解釋度與zui高的靈敏度。VP-II 可以輕易的對不管是導體或非導體獲取化學態的成像 或是離子濺射的深度分析,樣品例子如催化劑,金屬和電子設備,玻璃和聚合物,甚至是生物材料和組織等等。
維持了核心能力,包括掃描和聚焦 X 射線,的離子與電子雙中和系統,以及可以在極低電壓也可工作的高效能離子槍;另有可選項配置C60離子槍,提供了許多有機材料*而強大的濺射深度剖析能力;另外,一個*自動化的五軸樣品操盤促進多個樣品的自動分析并提供Zalar旋轉“Zalar RotationTM”的能力,可配合氬氣離子束或可選項配置的C60來進行濺射深度剖析。zui后,全新的操作界面SMARTSOFT-XPS,提供多技術儀器控制一個易于使用的平臺。在數據解釋和操縱總結中,對VP-II 的性能有著明顯的提高。

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